【卖】RIE离子蚀刻机

1、设备名称：Oxford PlasmaLab System 90
2、设备品牌：英国Oxford PlasmaLab
3、设备功能：反应离子刻蚀，氮化硅、氧化硅
4、设备应用：半导体、MEMS、电子、太阳能、薄膜电池等
5、设备英文介绍：
Oxford PlasmaLab System 90RIE/PECVD System (Reactive Ion Etch/Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
* Energy RFX600 Power Supply (600 watts at 13.56 MHz) RF Power Supply
* Advanced Energy TCM Matching Network
* MKS 652 Throttle Valve Control
* SC Technology End Point System
* Techware Systems Model TC-III PLC
* Balzers TCP-380 Turbo Pump Controller
* Balzers TCU-330S Turbo Pump
6、设备中文介绍：
牛津PlasmaLab系统90RIE/PECVD系统（反应离子刻蚀/等离子体增强化学气相沉积）
*RFX600电源（60013.56瓦兆赫）射频电源
*全自动射频匹配器
* MKS的652节流阀控制
* SC技术得工艺深度检测系统
* Techware系统TC-Ⅲ型PLC
*巴尔查斯TCP- 380涡轮泵控制器
*巴尔查斯TCU -330S涡轮泵
用途：离子刻蚀及PECVD系统，用于半导体、电子、太阳能等领域

优点:
- 工艺灵活，既可采用RIE/PE，也可采用ICP
- 先进的管芯工艺：采用等离子体加速器的刻蚀速率比标准的RIE工艺快20倍
产品范围：
- 可以处理300mm晶片的RIE/PE双模式设备
- 快速低损伤的模具刻蚀装置
- 处理200mm晶片的双模式设备
- 填充用的正硅酸乙酯（TEOS）工艺
应用:
- 各向同性的聚酰亚胺的去除（RIE或ICP模式）
- 各向同性的氮化物（钝化层）的去除（PE或ICP模式）
- 各向异性的氧化物（金属间介质/层间介质）的去除（RIE或ICP模式）
- 各向异性的低K值氧化物的去除（RIE或ICP模式）
- 金属支架的去除（RIE或ICP模式）
- 多晶硅的去除（RIE模式）
- 铝或铜的去除（ICP模式）