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用途： 1.适用于低饱和场、低Hc磁性薄膜材料的磁性能研究，尤其是其不存在电磁铁类的铁芯剩磁效应而可以准确定出H=0的点，使其特别实用于铁磁/反铁磁界面的磁性钉扎效应研究，诸如钉扎型自旋阀薄膜、钉扎型磁性隧道结结构的薄膜、AMR效应的玻莫合金磁性膜等。
2.由于此设备中的检测线圈可以在不用时任意抬起而使其不占有效磁场的空间，从而可充分利用该设备的磁场作诸如AMR、GMR、JMR等磁电阻特性测量。
3.此设备适用软磁薄膜的磁特性测量，也可作为研究生的磁性测量实验，可给学生灌输诸如Ms、ós、Mr、Hc、Hs、Hd等许多磁学概念，开阔学生的知识面。
型号规格： LH-3型
技术指标： 最大磁场Hmax(Oe) 灵敏度（emu） 扫描电源输出
±400 3～4×10-5 10A(5Ω)
特点： 1.磁场线圈由扫描电源激磁，产生Hmax＝±400Оe的磁化场，其扫描速度和幅度均可自由调节。磁化场的大小和方向是用激磁电流取样值加以标度，以保证磁场测量更准确。扫描电流输出的激磁电流，其大小、方向等均由相关电压控制，无任何机械部件，故可实现磁化场的平滑过零功能。
2.振动头具有双级减振结构，可有效阻断振子与外界的振动偶联；用低频信号振荡器进行驱动，使其振幅可达2mm左右。具有三维调节功能，可准确地将样品调整到检测线圈鞍部区。
3.检测线圈采用全封闭型四线圈无净差式，具有较强的抑制噪音能力和大的有效输出信号，保证了整机的高分辨性能。
4.在配备进口Lock-in的情况下，经统调后此种LH-3型VSM的最高灵敏度，在检测线圈间距为20mm的情况下，可达3-4×10-5emu(注：此为动态测试)。
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