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我国成功研制具有国际先进水平的ZnO基短波长激光器
发布时间:2006年1月13日
 
   
  日前,由南京大学和中科院上海光学精密机械研究所共同承担的国家863计划课题“ZnO基短波长激光器若干关键技术研究”取得重要突破。该课题组经过三年时间上千次的材料生长和工艺实验,在国际上首次研制成功ZnO基同质PN结发光器件(LED),在室温(29℃)下实现了蓝光、黄光发射。

  该成果突破了用于ZnO系材料生长的有机化学气相沉积(MOCVD)设备、ZnO单晶制备、ZnO薄膜材料生长和掺杂、欧姆接触等一系列材料器件技术难题,形成了ZnO单晶衬底技术、ZnO金属MOCVD系统技术、ZnO材料的MOCVD同质外延技术和ZnO p型掺杂原位控制及激活技术等多项具有自主知识产权技术,是继日本东北大学在铝镁酸钪衬底上用分子束外延方法研制成功ZnO基LED后的一项重大科技研究成果,标志着我国已成功进入ZnO发光器件这一前沿战略高科技领域的国际领先行列。
 
   
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